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谐波减速机的原理并3D打印制作一个
发布时间:2021-02-13 23:40    文章作者:立博官网

  中允许很高的减速比。与传统的齿轮系统(例如斜齿轮或行星齿轮)相比,它在相同的空间内可实现高达30倍的更高减速比。除此之外,它还具有零齿隙特性,高扭矩,准确性和可靠性。因此,该齿轮系统可用于许多应用,包括机器人技术,航空航天,医疗机器,铣床,制造设备等。

  波形发生器为椭圆形,由一个椭圆形轮毂和一个特殊的薄壁轴承组成,轴承遵循轮毂的椭圆形。这是齿轮组的输入,它连接到电机轴上。

  挠性花键有一个圆柱形的杯状结构,由柔韧但抗扭的合金钢材料制成。杯子的侧面很薄,但是底部又厚又硬。

  杯子的开口端是柔性的,但是封闭端是相当刚性的,因此我们可以将它用作输出端,并将输出法兰连接到其上。挠性花键在杯的开口端有外齿。另一方面,圆形花键是一个内部有齿的刚性环。圆弧花键比柔轮花键多两个齿,这实际上是应谐波传动系统的关键设计。

  因此,当我们将波形发生器插入Flex样条曲线时,Flex样条曲线将采用波形发生器的形状。

  当波形发生器旋转时,它会使挠性花键的开口端径向变形。波形发生器和挠性花键然后被放置在圆形花键内,将齿啮合在一起。

  由于弹性花键的椭圆形状,牙齿仅在弹性花键的相对两侧的两个区域啮合,并且这两个区域跨越波发生器椭圆的主轴。

  现在,随着波形发生器的旋转,与圆形花键啮合的挠性花键齿将慢慢改变位置。由于柔性花键和圆形花键之间的齿数不同,对于波形发生器每旋转180度,齿啮合将导致挠性花键相对于波形发生器向后少量旋转。换句话说,随着波形发生器每旋转180度,与圆形花键啮合的挠性花键齿将仅前进一个齿。

  例如,如果挠性花键有200个齿,波形发生器必须旋转100圈,柔轮花键才能前进200个齿,或者柔轮花键只能旋转一圈。这是100:1的比例。在这种情况下,圆弧花键将有202个齿,因为圆弧花键的齿数总是比挠性花键的齿数多两个。

  我们可以用下面的公式很容易地计算出减速比。该比率等于挠性花键齿–圆形花键齿除以挠性花键齿。

  因此,以挠性花键上的200个齿和圆形花键上的202个齿为例,减速比为-0.01。这是波发生器速度的1/100,减号表示输出方向相反。

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  和特点 快速调谐响应(幅度建立时间):ns 待定 出色的宽带抑制:≤35 dB 单芯片实现方案 符合 RoHS 标准的 24 引脚 4×4 LFCSP 封装 产品详情 ADMV8420 是一款单芯片微波集成电路(MMIC)可调带通滤波器,具有用户可选的通带频率。3 dB 滤波器带宽约为 TBD%,≤35 dB 滤波器带宽约为 TBD%。此外,施加一个0 V 至 14 V 的模拟控制电压后,中心频率可在 10 GHz 至 20 GHz 范围内变化。这款可调谐滤波器可用作大型开关滤波器组和腔体调谐滤波器的小型替代方案。由于采用单芯片设计,ADMV8420 具有出色的颤噪性能并为高级通信应用提供动态可调节解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战系统 甚小孔径终端(VSAT)通信 方框图...

  HMC1044 可编程谐波低通滤波器,1 - 3 GHz 3 dB带宽

  和特点 可编程带宽: 1至3 GHz 兼容窄带和宽带: 集成VCO的PLL调制器解调器 LO谐波抑制: ~20 dB 改善调制器/解调器边带/镜像抑制 性能: 20 dB(典型值) 单端或差分选项 比目前的分立式固定带宽解决方案尺寸缩小90% 16引脚3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC1044LP3E是一款针对所有采用正交调制器和/或解调器应用的可编程带宽LPF(低通滤波器)。 HMC1044LP3E可滤除LO谐波,从而确保LO对调制器边带抑制或解调器镜像抑制性能的贡献非常小或为零。 虽然HMC1044LP3E针对LO滤波应用,但它可用于滤除所有RF谐波,如放大器产生的谐波。 HMC1044LP3E提供16种可编程频段选择,针对频段范围为1至3 GHz的高低蜂窝频段进行优化,实现与集成VCO、宽带正交调制器和解调器的宽带PLL兼容的真正宽带器件。 它采用宽带多标准、多载波设计,可针对各种具体应用现场即时配置。 HMC1044LP3E采用紧凑型3x3 mm QFN无铅封装。 应用 滤除LO谐波以降低调制器边带抑制和解调器镜像抑制 放大器谐波滤波 RF滤波 方框图...

  HMC404 GaAs MMIC次谐波IRM混频器芯片,26 - 33 GHz

  和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 镜像抑制: 22 dB 小尺寸: 1.90 x 1.25 mm 产品详情 HMC404芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC镜像抑制混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为2.31mm²。 片内90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能,镜像抑制大于22 dB。 LO放大器采用单偏置(+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 应用 26至33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC798A 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次谐波SMT混频器

  和特点 单正电源:5 V (97 mA) 转换损耗:10 dB(典型值,24 GHz至30 GHz时),10.5 dB(典型值,30 GHz至34 GHz时)(上变频器) 输入IP3:17.5 dBm(典型值,24 GHz至30 GHz时),20 dBm(典型值,30 GHz至34 GHz时)(上变频器) 2 × LO至RF隔离:36 dB(典型值,30 GHz至34 GHz时) 宽IF带宽:DC至4 GHz LO驱动电平:4 dBm输入 次谐波2 × LO 符合RoHS标准的24引脚、3.90 mm × 3.90 mm、LCC陶瓷封装 产品详情 HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次谐波(×2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无铅LCC封装。HMC798ALC4可用作频率范围为24 GHz至34 GHz的上变频器或下变频器。 在24 GHz至30 GHz和30 GHz至34 GHz频率范围内,2 × LO至射频(RF)隔离通常分别为30 dB和36 dB,无需额外滤波。LO放大器采用单偏置(5 V dc)设计,通常需要4 dBm的LO驱动电平。HMC798ALC4无需线焊,可以使用表贴(SMT)制造技术。应用 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电 测试设备 点对点无线电 卫星通信(SATCOM) 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指...

  HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,33 - 42 GHz

  和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 37 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.81 0.1 mm 产品详情 HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC337 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,17 - 25 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 25 dB 芯片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统方框图...

  HMC338LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,24 - 34 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO DC - 3 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 单正电源: +4V (31mA) 产品详情 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V到+4V)设计,需-5 dBm的标称驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至3 GHz。 HMC338LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 SATCOM方框图...

  HMC-MDB218 次谐波I/Q混频器/IRM芯片,54 - 64 GHz

  和特点 宽IF带宽: DC - 3 GHz RF频率: 54至64 GHz LO频率 27至32 GHz 高镜像抑制: 30 dB 无源;无需直流偏置 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 卫星通信 军用雷达、ECM和EW 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 40 dB 小尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC264芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 高输入IP3: 13 dBm 高LO/RF隔离: 30 dB 高2LO/RF隔离: 50 dB 宽IF带宽: DC - 12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短途/高容量无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 E波段通信系统 汽车雷达 方框图...

  HMC264LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,21 - 31 GHz

  和特点 集成LO放大器:-4至+4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 30 dB DC - 6 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4至+4 dBm的驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至6 GHz。 HMC264LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 低LO功率: 9 dBm 高LO/RF隔离: 28 dB 高2LO/RF隔离: 43 dB 宽IF带宽: DC至12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC1058是一款次谐波MMIC混频器。 它可用作上变频器或下变频器,IF端口频率范围为DC至12 GHz,RF端口频率范围为71 GHz至86 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 E波段通信系统 测试设备和传感器 军用最终用途 汽车雷达 方框图...

  HMC264LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 30 GHz

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 35 dB LM3 SMT封装产品详情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC264LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和30 GHz微波无线电 上下变频器 点对点无线电 LMDS和SATCOM 方框图...

  HMC338-DIE GaAs MMIC次谐波混频器芯片,26 - 33 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 33 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC通用混频器,可在26至33 GHz的频率范围中用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 通用应用 26和33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 集成IF放大器: 增益:3 dB 小尺寸: 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、更可靠的极佳替代品。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  HMC1093 GaAs MMIC次谐波混频器,37 - 46.5 GHz

  和特点 次谐波 (x4) LO 低LO功率: -1 dBm 高4LO/RF隔离: 20 dB 宽IF带宽: DC至7.5 GHz 下变频应用 裸片尺寸: 1.45 X 3.85 X 0.1 mm 产品详情 HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次谐波 (x4) MMIC混频器。 HMC1093芯片非常适合用作下变频器,RF端口为37至46.5 GHz,IF端口范围为DC至7.5 GHz。 HMC1093利用GaAs PHEMT技术,提供20 dB的4LO至RF出色隔离性能,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V)两级设计,所需LO功率仅为-1 dBm。 RF和LO端口为隔直端口并匹配至50 Ohms,使用方便。 此处显示的所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线 GHz微波无线电 军用最终用途方框图...

  和特点 高精度;支持IEC 62053-21、IEC 62053-22、IEC 62053-23、EN 50470-1、EN 50470-3、ANSI C12.20和IEEE1459标准 支持IEC 61000-4-7 I类和II类精度规格 兼容三相三线或三相四线(三角形或星形)及其它三相配置 测量所有相位上2.8 KHz通带范围内所有谐波的rms/有功/无功/视在功率、功率因数、THD+N和谐波失真 测量零线 KHz通带范围内所有谐波的有效值和谐波失线的动态范围内谐波电流和电压有效值、谐波有功和无功功率的误差小于1% 测量各相及整个系统的总(基波和谐波)有功/视在功率和基波有功/无功功率 TA = 25°C时,在1000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.1% TA = 25°C时,在5000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.2% 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADE7880是一款高精度、三相电能计量IC,采用串行接口,并提供三路灵活的脉冲输出。该器件内置多个二阶Σ-Δ型模数转换器(ADC)、数字积分器、基准电压源电路及所有必需的信号处理电路,实现总(基波和谐波)有功/视在功率测量和有效值计算,以及基波有功/无功功率测量。此外,ADE7880可...

  HMC265LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 31 GHz

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时,2LO至RF和IF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...

  HMC892A 3.45 GHz 至 6.25 GHz 可调谐带通滤波器

  和特点 幅度稳定时间:200 ns出色的宽带抑制:≥30 dB机械调谐设计的单芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装 产品详情 HMC892ALP5E 是一款可调谐的带通滤波器,具有用户可选的通带频率3 dB 滤波器带宽约为 8.7%。20 dB 滤波器带宽约为 23.8%。通过施加 0 V 至 14 V 的模拟调谐电压,可以使中心频率在 3.45 GHz 至 6.25 GHz 之间变化。这款可调谐滤波器可用作外形较大的开关滤波器组和腔调谐滤波器的较小替代方案。由于采用单片设计,HMC892ALP5E 具有出色的颤噪效应,可在高级通信应用中提供动态可调的解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战 (EW)/电子对抗 (ECM) 卫星通信 (SATCOM) 和航空航天 工业设备和医疗器械 方框图...

  和特点 幅度稳定时间:200 ns 出色的宽带抑制:≥30 dB 机械调谐设计的单芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装 产品详情 HMC890ALP5E 是一款单片微波集成电路 (MMIC) 带通滤波器,具有用户可选的通带频率3 dB 滤波器带宽约为 10%。≥20 dB 滤波器带宽约为 30%。通过施加 0 V 至 14 V 的模拟调谐电压,可以使中心频率在 1.0 GHz 至 1.9 GHz 之间变化。这款可调谐滤波器可用作外形较大的开关滤波器组和腔调谐滤波器的小得多的替代方案。由于采用单片设计,HMC890ALP5E 具有出色的颤噪效应,可在高级通信应用中提供动态可调的解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战/电子对抗 卫星通信和航空航天 工业设备和医疗器械 方框图...


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